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霍尔效应测量系统 L79/HCS

产品简介:霍尔效应测量系统 L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。

产品型号:

更新时间:2024-05-21

厂商性质:生产厂家

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产品介绍

霍尔效应测量系统 L79/HCS 介绍:

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(zui高温度可达240°C)可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V和I-R数据图。

系统可测试多种材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可测量),金属膜,氧化物等,样品测试时便可完成系统功能演示。


霍尔效应测量系统 L79/HCS 特点:

•载流子浓度

•电阻率

•迁移率

•电导率

•α(水平电阻值/垂直电阻值)

•霍尔常数

•磁致电阻


技术参数:

输入电流:500nA到10mA (500nA步长)

霍尔电压:0.5到4.5V

极限分辨率:65pV

样品形状:15x15,20x20,25x25mm,高度可达5mm

磁场强度:可达 1T

传感器:液氮温度到240°C

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