霍尔效应测量系统 L79/HCS
更新日期2022-07-11
所属分类霍尔效应
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产品描述：霍尔效应测量系统 L79/HCSL79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。
产品概述
| 品牌 | LINSEIS/林赛斯 |
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基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（zui高温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。
基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.
系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示
特点
• 载流子浓度
• 电阻率
• 迁移率
• 电导率
• α (水平电阻值/垂直电阻值)
• 霍尔常数
• 磁致电阻
| 输入电流: | 500nA 到 10mA (500nA 步长) |
| 霍尔电压: | 0.5 到 4.5V |
| 极限分辨率: | 65pV |
| 样品形状: | 15x15, 20x20, 25x25mm, 高度可达 5mm |
| 磁场强度: | 可达 1T |
| 传感器: | 液氮温度到 240°C |
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