霍尔效应测量系统 L79/HCS
更新日期2024-05-21
所属分类霍尔效应
报价
访问次数2370
产品描述：霍尔效应测量系统 L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。
产品概述
| 品牌 | LINSEIS/林赛斯 | 应用领域 | 综合 |
|---|
霍尔效应测量系统 L79/HCS 介绍：
基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（zui高温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。
基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V和I-R数据图。
系统可测试多种材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可测量),金属膜,氧化物等,样品测试时便可完成系统功能演示。
霍尔效应测量系统 L79/HCS 特点：
•载流子浓度
•电阻率
•迁移率
•电导率
•α(水平电阻值/垂直电阻值)
•霍尔常数
•磁致电阻
技术参数：
输入电流:500nA到10mA (500nA步长)
霍尔电压:0.5到4.5V
极限分辨率:65pV
样品形状:15x15,20x20,25x25mm,高度可达5mm
磁场强度:可达 1T
传感器:液氮温度到240°C
- 上一个： 热机械分析仪 TMA PT1600
- 下一个： 林赛斯 薄膜综合物性分析仪 TFA